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99,6 % Aluminiumoxid-Keramiksubstrate
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99,6 % Aluminiumoxid-Keramiksubstrate

99,6 % Aluminiumoxid-Keramiksubstrate

Keramiksubstrate aus 99,6 % Aluminiumoxid werden in Anwendungen eingesetzt, bei denen eine präzise thermische und elektrische Leistung entscheidend ist, wie z. B. Hochfrequenzschaltungen, Leistungselektronik und andere anspruchsvolle Anwendungen. Sie sind eine ausgezeichnete Wahl für die Dünnschichtmetallisierung. Einige Gründe sind wie folgt:
- Hohe Reinheit;
- Elektrische Isolierung;
- Thermische Stabilität;
- Hohe Oberflächengüte;
- Kompatibilität mit Metallisierungsprozessen.
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Produkteinführung

Komposition

Ein Keramiksubstrat mit 99,6 % Aluminiumoxid bezieht sich auf ein Material, das hauptsächlich aus Aluminiumoxid (Al2O3) mit einem Reinheitsgrad von 99,6 % besteht. Dies weist darauf hin, dass 99,6 % des Materials aus Aluminiumoxid bestehen und der verbleibende Prozentsatz wahrscheinlich aus anderen Spurenelementen oder Verunreinigungen besteht.

 

Anwendungen

Aluminiumoxidkeramik ist für ihre hohe Wärmeleitfähigkeit, hervorragende elektrische Isolationseigenschaften sowie Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit bekannt. Sie finden Anwendung in verschiedenen Branchen, darunter Elektronik, Luft- und Raumfahrt, Automobil und Medizin. In der Elektronikindustrie werden Aluminiumoxid-Keramiksubstrate häufig als Basismaterial für elektronische Komponenten wie integrierte Schaltkreise (ICs) und andere elektronische Geräte verwendet.

 

Der hohe Reinheitsgrad von 99,6 % weist darauf hin, dass diese spezielle Art von Aluminiumoxidkeramik für Anwendungen geeignet ist, bei denen ein hohes Maß an Reinheit und Leistung erforderlich ist. Es kann in Situationen eingesetzt werden, in denen präzise thermische und elektrische Eigenschaften entscheidend sind, beispielsweise in Hochfrequenzschaltungen, Leistungselektronik und anderen anspruchsvollen Anwendungen.

 

Eigenschaften von 99,6 % Aluminiumoxid-Keramiksubstraten

Properties of 996 Alumina Ceramic Substrates

 

Dünnschicht-Keramiksubstrate aus 99,6 % Aluminiumoxid

Ein Keramiksubstrat aus 99,6 % Aluminiumoxid mit einem hohen Reinheitsgrad ist eine ausgezeichnete Wahl für Dünnschichtmetallisierungsanwendungen. Hier ist der Grund:

 

1. Hohe Reinheit

Die Reinheit von 99,6 % weist auf einen geringen Grad an Verunreinigungen im Material hin. Dies ist für Dünnschichtanwendungen von entscheidender Bedeutung, da Verunreinigungen die Leistung und Zuverlässigkeit von Dünnschichten beeinträchtigen können.

 

2. Thermische Stabilität

Aluminiumoxidkeramik weist eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eine ausgezeichnete thermische Stabilität auf. Dies ist wichtig für Prozesse wie Sputtern oder Verdampfen, die bei der Dünnschichtabscheidung eingesetzt werden.

 

3. Elektrische Isolierung

Aluminiumoxid ist ein ausgezeichneter elektrischer Isolator. Dies ist wichtig, wenn Sie dünne Filme auf ein Substrat auftragen, da Sie sicherstellen möchten, dass es zwischen den Metallisierungsschichten keine unerwünschte elektrische Leitung gibt.

 

4. Chemikalienbeständigkeit

Aluminiumoxid ist äußerst beständig gegen chemische Korrosion. Dies ist von Vorteil, wenn es um verschiedene Chemikalien geht, die im Abscheidungsprozess verwendet werden könnten.

 

5. Mechanische Festigkeit

Aluminiumoxidkeramik ist für ihre mechanische Festigkeit und Härte bekannt. Dadurch wird sichergestellt, dass das Substrat den Belastungen standhält, die beim Dünnfilmabscheidungsprozess auftreten.

 

6. Oberflächenbeschaffenheit

Aluminiumoxidsubstrate können mit präziser Oberflächenbeschaffenheit hergestellt werden, was für die Erzielung hochwertiger Dünnfilme von entscheidender Bedeutung ist.

 

7. Dielektrische Eigenschaften

Aluminiumoxidkeramik verfügt über hervorragende dielektrische Eigenschaften und eignet sich daher ideal für Anwendungen, bei denen elektrische Isolierung von entscheidender Bedeutung ist, beispielsweise in der Mikroelektronik.

 

8. Kompatibilität mit Metallisierungsprozessen

Aluminiumoxidsubstrate sind mit einer Vielzahl von Dünnschichtmetallisierungstechniken kompatibel, einschließlich physikalischer Gasphasenabscheidung (PVD), chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) und anderen verwandten Prozessen.
 

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